据BusinessKorea报道，三星电子已经规划了未来三年3nm环绕栅极工艺的技术，并寻求在2025年量产2 nm GAA工艺。
根据消息显示，GAA是下一代工艺技术，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是现在FinFET工艺中的三个侧面GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流
三星电子正押注于将GAA技术应用于3 nm工艺，以赶上TSMC据报道，三星在6月初将晶圆放入3 nm GAA工艺进行试产，成为全球首家使用GAA技术的公司它正寻求通过技术飞跃立即缩小与TSMC的差距与5纳米工艺相比，3纳米工艺的半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%，芯片面积减少了35%
此外，TSMC此前宣布3nm工艺将于2022年量产，而TSMC则首次推出了采用纳米晶圆晶体管架构的2nm工艺，将于2025年量产。
